电阻加热导致的焦耳能量损耗在当今的电子设备中无处不在，而量子力学耗散在很大程度上尚未得到开发研究。巴塞尔大学D. Yildiz和M. Kisiel团队通过实验观察到由于拓扑保护的表面状态，Bi2Te3中的焦耳耗散受到抑制。通过摆式原子力显微镜观察到了不同类型的耗散机制，这与单电子隧穿共振转变为比Bi2Te3表面略高的图像电势态有关。施加磁场会导致表面状态的拓扑保护失效，并恢复预期的焦耳耗散过程。摆式原子力显微镜的悬臂经历的纳米机械能耗散为拓扑绝缘子表面上的量子隧道现象的耗散性质提供了丰富的信息源。这意味着将机械振荡器耦合到通用量子材料。Mechanical dissipation via image potential states on a topological insulator surface, Nature Materials (2019)https://www.nature.com/articles/s41563-019-0492-3