外延融合的胶体量子点（QD）超晶格（epi-SLs）可能使一类新型的半导体结合了QDs的尺寸可调光物理特性和类似体相的电子性能，但对Epi-SL形成和表面化学了解不足阻碍了其进展。加利福尼亚大学Matt Law团队使用X射线散射和相关电子成像以及单个SL晶粒的衍射来确定三维PbSe QD Epi-SL膜的形成机理。研究表明，Epi-SL是通过相变的形式从菱形扭曲的体心立方母体SL形成的，其中QD以最小的旋转量（〜10°）平移，并在三个维度上沿其{100}面外延融合。在每个SL晶粒的103-105 QD中，这种集体的外延转变在原子上是可能的。通过原子层沉积用氧化铝填充Epi-SL可以极大地改变其电性能，而不会影响超晶格结构。该工作建立了三维QD epi-SL的形成机理，并说明了表面化学对于这些材料中电荷传输的至关重要。Collective topo-epitaxy in the self-assembly of a 3D quantum dot superlattice, Nature Materials (2019)https://www.nature.com/articles/s41563-019-0485-2