诸多研究表明BiVO4是极具应用前景的可用于太阳能转换的光阳极材料。其中，BiVO4上的氧空位与其光电化学效率密切相关。截至目前，氧空位的电荷特性及其对n型电导率的贡献仍在争论中。为了厘清这一问题，近日，普林斯顿大学的Annabella Selloni和加泰罗尼亚化学研究所的Núria López等人通过第一性原理计算发现BiVO4上的氧空位存在2种截然不同的几何构型。伴随的特异性结构分别为未配位的还原态的VIVO3和BiIIO7单元及VIV-O-VIV/V桥（split空位），二者均能猝灭氧缺失位点。值得注意的是，对于BiVO4体相而言，2种构型对应的能力是相同的；对于BiVO4 （001）亚表面而言，（001）亚表面可以充当高能电子阱，进而使split空位的稳定能降低约1 eV。基于此， 材料容易产生桥接的V2O7单元，使得部分电荷局域在（001）表面区域，这与近来文献所报道的实验结果一致， BiVO4（001）面是富电子的表面。Franziska Simone Hegner, Daniel Forrer, Jose Ramon Galan-Mascaros, Nuria Lopez, and Annabella Selloni.The Versatile Nature of Oxygen Vacancies In bismuth Vanadate Bulk and (001) Surface.J. Phys. Chem. Lett., 2019.DOI：10.1021/acs.jpclett.9b02552.下载链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.9b02552.