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羟基功能化石墨烯量子点OH-GQD@VMSF/ITO修饰抗体CL/LDHs水滑石

作者:瑞禧生物 发布时间:2024-11-12 09:11:37 次浏览

羟基功能化石墨烯量子点OH-GQD@VMSF/ITO修饰抗体CL/LDHs水滑石
今天瑞禧生物小编分享将尺寸匹配的小尺寸羟基功能化GQDs(OH-GQDs)或氨基功能化GQDs(NH2-GQDs)修饰在VMSF孔道内,制备GQD@VMSF修饰电极。
制备过程:
OH-GQDs的具体合成步骤如下:在0.125 molL的 NaOH 溶液中加入7.3 mmolL的三硝基芘,超声分散后,在200 ℃下水热反应2h得到无明显颗粒的红棕色溶液。将溶液装入透析袋中透析2天以截留分子量大于1000 Da的 OH-GQDs,溶液经冷冻干燥得到OH-GQDs固体。
采用三电极体系,以 VMSF/ITO 电极为工作电极,铂电极为对电极,饱和Ag/AgCl电极为参比电极,对工作电极施加+0.8V的恒定电压电泳1 h后得到OH-GQD@VMSF/ITO电极。
OH-GQDs横向尺寸约为1.8 nm,高度约为0.8 nm,而VMSF的孔径约为2.6nm。因此,VMSF的孔径大于OH-GQDs 的横向尺寸和纵向尺寸,为OH-GQDs修饰进VMSF孔道在尺寸匹配上提供了可行性。
CdTe量子点修饰水滑石:
基于层层组装法将LDHs纳米片与CdTe量子点进行复合,得到了(LDHs/CdTe)n多层超薄膜。该复合薄膜呈现平整、连续的表面形貌和较低的表面粗糙度,并具有超晶格有序结构。LDHs二维层状结构为CdTe量子点的组装提供了稳定的限域空间,tg了量子点阳极电化学发光体系的ECL性能,同时该薄膜电极具有很好的稳定性和重现性。
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