基于GeSn/Ge双层纳米线光电探测器件及性能表征 研究人员利用分子束外延技术，成功制备出大面积、高密度且高长宽比的Ge纳米线，并利用其作为模板，通过二次沉积法获得了Sn组分可达~10%的GeSn/Ge双层纳米线结构。由于纳米线具有柔性且**的比表面积，能够通过弹性形变的方式自主弛豫释放GeSn/Ge之间晶格失配引入的应力，从而****GeSn/Ge界面处的缺陷形成。由于GeSn具有较窄的禁带宽度，因此基于GeSn/Ge双层纳米线的光电探测器件比Ge纳米线光电探测器具有更长的探测波长，延伸到2 μm以上。为了**窄禁带宽度GeSn引起的暗电流增加，研究人员进一步引入具有铁电性的P(VDF-TrFE)离子胶作为栅介质，通过侧栅调控大幅降低了GeSn/Ge双层纳米线光电探测器的暗电流与静态功耗，从而实现了兼具长波长与低暗电流的光电探测，对于拓展Ⅳ族材料纳米线结构在光电探测领域的研究与应用具有重要参考意义。     提供各种不同长度的纳米金线，纳米钯线，纳米铑线，纳米钌线，纳米锇线，纳米铱线，纳米铂线，纳米银线，CdS纳米线，CdSe纳米线，InAS纳米线，ZnSe纳米线，ZnTe纳米线，CdS-CdSe纳米线，CdTe纳米线，GaAs纳米线，GaSb纳米线，InP纳米线，SnO2纳米线，ZnO纳米线，ZnS纳米线，CdS纳米带，三氧化钼纳米线MoO3，单晶Sb2S3纳米线，碳化硅纳米线，SiO2纳米线，TiO2纳米线，氮化硅α-Si3N4纳米线。同时实验室提供各种纳米线的改性，化学修饰，生物修饰，纳米线功能化修饰定制技术。 相关产品： CdS纳米线 双光子泵浦CdS纳米线激光 CdS/SiO2纳米线阵列和CdS纳米带 CdS纳米线阵列 CdS纳米线有序阵列 ZnCr层状双氢氧化物纳米板修饰的CdS纳米线 巯基聚醚树枝状分子修饰的CNTs/CdS核壳纳米线 ZnO/CdS修饰TiO2纳米线阵列 ZnO/PbS修饰TiO2纳米线阵列 TiO2/ZnO@CdS纳米线阵列 CdS纳米线硫脲表面修饰剂吡咯烷酮聚乙烯醇 ZnCr LDH修饰CdS纳米线 碳点修饰硫化镉纳米线 TiO2纳米线上敏化CdS量子点 Au、CdS纳米粒子对TiO2纳米线进行修饰 CdS纳米线硫脲表面修饰剂吡咯烷酮聚乙烯醇 ZnCr LDH修饰CdS纳米线 0D/1D碳点修饰硫化镉纳米线 硫化镉纳米线CdS修饰g-C3N4/ZnO Mn掺杂的CdS量子点修饰于Ti02纳米线基底表面 荧光标记CdS纳米线 谷胱甘肽包被的CdSe/CdS纳米线 二氧化硅(SiO2)包覆CdS纳米线 CdS纳米线,纳米带定制 以上资料来自小编zhn2021.03.4