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层状双金属氢氧化物(LDH)的化学修饰方法(一文介绍)

作者:瑞禧生物 发布时间:2022-08-09 10:16:38 次浏览

层状双金属氢氧化物(LDH)的化学修饰方法(一文介绍) 层状双金属氢氧化物(英文缩写为LDH,又称水滑石类化合物)是少数阴离子型插层结构材料之一,具有层间阴离子可交换、层板金属可变价、层状结构稳定等特点。LDH是一种二维层状材料,基本结构式为[M1-x2+Mx3+(OH)2]x+[An-]x/n·zH2O,M2+和M3+为二价和三价金属阳离子,两者与OH-共同构成了LDH的阳离子层或主体层,层间为阴离子。图1为CO32-插层的LDH的理论结构。LDH主体层的M2+和M3+的种类和比例、层间阴离子和层间距都可以调控。这些性质为LDH在超级电容器中的应用赋予了多变性。LDH属于赝电容型电极材料,在碱性体系下与OH-的交互作用下,LDH中的过渡金属元素通过氧化还原反应得失电子,从而实现充放电过程。LDH的电化学性能主要受比活性原子暴露率、导电性、电化学活性影响。使用不同的化学修饰方法可有针对性提升LDH某一方面的特定性质,从而提升LDH的电化学性能。 图1 CO32-插层的LDH的理论结构 层状双金属氢氧化物(LDH)的化学修饰方法介绍: 组分调控是LDH中基本的化学修饰方法,通过调控组分,可以调控LDH的形貌、晶型、比表面积等微纳特征,从而增大活性原子的暴露率,增强LDH的电化学性能。如图2(a-f)或(m-o)所示,调节LDH中双金属元素的比例,可以调控LDH的形貌。在CoV LDH中,将Co/V的比例由1:0增加到0:1,LDH的形貌由纳米线逐渐改变为纳米片。如图2(g-l),在单过渡金属元素,增加过渡金属元素的种类,得到的材料纳米片的形貌特征逐渐明显,晶相开始由非LDH相转变为LDH相。 图2. (a-f)不同Co/V比例的CoV LDH的SEM图,(g-l)NiCoMn-OH (NiCoMn LDH)、NiCo-OH、NiMn-OH、CoMn-OH、Ni-OH、Co-OH的SEM图,(m-o)不同Co/Ga摩尔比的CoGa LDH的SEM图。 LDH层间的阴离子是可以调控的,不同阴离子插层LDH,层间距会有不同。增加LDH的层间距,有助于增大LDH层板上的活性原子与OH-的接触,从而可增大电化学性能。如图3a所示,使用SO42-插层的MnCo-LDH,层间距达到了1.08 nm,NO3-插层的MnCo LDH的层间距为0.76 nm,Cl-插层的LDH,层间距为0.78 nm。SO42-插层的MnCo-LDH电化学性能好,NO3-插层的MnCo LDH电化学性能差。如图3c所示,使用表面活性剂SDBS插层NiCo LDH,层间距可从0.72 nm增加到1.53 nm。接近于可剥离的层间距。 图3. (a)SO42-、NO3-和Cl-插层MnCo-LDH后的层间距及其面电容,(b)葡萄糖插层NiMn LDH的层间距,NiMn-G LDH@NiCo2S4@CFC的SEM图(NiMn-G LDH:葡萄糖插层的NiMn LDH;CFC:碳纤维布),NiMn-G LDH@NiCo2S4@CFC、NiMn-G LDH @CFC和NiCo2S4@CFC的倍率性能,(c)表面活性剂SDBS插层NiCo LDH前后的层间距,NiCo-SDBS-LDH和NiCo-LDH/β-Ni(OH)2的循环稳定性。 通过剥离增大LDH的比表面积,从而增多与OH-发生电化学反应的活性位点,可增强LDH的电化学性能。如图5所示,使用DMF成功剥离Ni-Al LDH,然后将其与剥离后的单层GO进行超晶格组装,然后使用还原剂还原,得到了Ni-Al LDH/rGO复合材料,增强了电化学性能。如图4b所示,使用甲酰胺/H2O混合溶液成功剥离了δ-MnO2和Ni-Mn LDH,并通过层层组装,得到了Ni-Mn LDH/MnO2复合材料。 图4. 剥离、重构制备的(a)Ni-Al LDH/rGO, (b) NiCo2O4/rGO和(c)Ni-Mn LDH/MnO2 LDH的本质是氢氧化物,导电性较差,通过晶相转变将氢氧化物转化为氧化物、硫化物、磷化物、氮化物等可**增强LDH的导电性,从而提升材料的电化学性能。其中,将LDH转化为硫化物对导电性的提升明显。如图5a-c所示,通过硫化NiV- LDH制备NiV-S纳米片,增强了导电性,提高了电化学性能。如图5d-f,在石墨烯上制备了NiCo-LDH,通过硫化转化为NiCo2S4,电化学性能**提高。如图6i-r所示,使用MOF作为前驱体,通过水热制备NiCo LDH,然后通过部分硫化得到NiCo‐LDH/Co9S8复合材料,显示了较好的电化学性能。 图5. NiV-LDH和NiV-S电极的(a)制备示意图、(b)倍率性能和(c)循环稳定性;(d)H-3DRG@NiCo-LDH和H-3DRG@NiCo2S4(H-3DRG:边缘丰富的杂原子掺杂的3D石墨烯膜)的制备示意图,(e)H-3DRG@NiCo-LDH和(f)H-3DRG@NiCo2S4的SEM图;(g)CoNi合金和CoNi合金@CoNi硫化物的制备示意图,(h)CoNi-LDH、CoNi-R和CoNi-R-S的XRD图,(i)CoNi-LDH和(j)CoNi-S的SEM图,(k)CoNi-S和CoNi-O的态密度分布图;(l)中空的C/LDH/S复合材料的制备示意图,(m)ZIF-67-C、(n)C/LDH和(o)C/LDH/S的SEM图,(p)ZIF-67-C、(q)C/LDH和(r)C/LDH/S的TEM图。 温馨提示:供应的产品仅用于科研,不能用于其他用途,此文章如有侵权可联系我们。