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CVD-WSe2单层薄膜:Si/SiO2衬底;SiO2/Si衬底上生长单层和双层WSe2二硒化钨薄膜

作者:瑞禧生物 发布时间:2023-01-28 10:03:01 次浏览

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优化实验条件在二氧化硅衬底上生长出厘米量级的单层和双层WSe2连续大面积薄膜。CVD生长WSe2大膜的生长条件与制备大尺寸单层WSe2薄膜的工艺参数基本一样,不同的是(1)硒丸的加热温度设置为420℃,(2)先将氧化钨在970℃下保温20min后再通入7sccm的氢气。因为氧化钨的熔点高,不利于蒸发,在970℃下保温20min使刚玉舟内有足够多的WOx蒸汽,再通入大量的氢气提高硒源的还原性,可以使硒与氧化钨迅速反应生成二硒化钨薄膜。
WSe2连续大面积薄膜的AFM表征
为了更加精确的判断二硒化钨薄膜的层数,我们对生长时间为10min与25min时的样品进行AFM表征。图3-24(a)为单层二硒化钨大膜的原子力照片,将薄膜用镊子轻轻刮一条痕迹暴露出WSe2薄膜下面的SiO2/Si衬底。从AFM照片中可以观察到在衬底和薄膜表面上有许多亮点,这是因为基片长时间暴露在空气中,在SiO2衬底和薄膜表面吸附大量的杂质。图3-24(b)测量出二硒化钨薄膜与SiO2衬底的台阶高度为0。76nm,与文献中报道的单层WSe2厚度基本一致[44]。图3-24(c)为双层WSe2的原子力照片,表面比较平整干净,质量较好。测得二硒化钨与SiO2衬底的台阶高度为1。66nm,与文献中报道的双层WSe2厚度基本一致[44]。证明了在生长时间为10min与25min时的样品确实为单层与双层WSe2大膜。
其中在SiO2/Si衬底生长出单层和双层二硒化钨大膜。并通过拉曼、光致发光谱、AFM和XPS对单层和双层WSe2大膜进行表征。测得单层WSe2大膜的PL峰值为1。59eV,厚度为0。76nm;双层WSe2大膜的PL峰值为1。55eV,厚度为1。66nm。并对双层WSe2薄膜进行XPS表征,W4f7/2和W4f5/2两个特征峰,其峰位分别位于32。82eV和41。16eV,Se2d5/2和Se2d3/2两个特征峰峰位分别为55。17eV和57。68eV。
其他量子点:
羧甲基纤维素钠修饰硫化镉(CdS)量子点
L半胱氨酸修饰硫化镉量子点(LCys@CdS)
锰掺杂硫化镉量子点CdS QDs
硫化镉量子点-二氧化钛(CdS QDs/TiO2)复合材料
水溶性锗掺杂硫化镉量子点(Ge:CdS d-dots)
硫化镉量子点修饰多孔碳氮化物(pg-CN/CdS QDs)
石墨烯/硫化镉量子点复合材料
硅纳米线-硫化镉CdS量子点复合材料
硒化镉/硫化锌(CdSe/ZnS)量子点
牛血清白蛋白包裹ZnS量子点(BSA-ZnS QDs)
3-巯基丙酸包裹ZnS量子点(MPA-ZnS QDs)
γ-环糊精-叶酸包合物(γ-CD/FA)修饰CdSe/ZnS量子点(QDs)纳米
链酶亲和素修饰CdSe/ZnS量子点
环糊精修饰CdSe/ZnS量子点
氨基修饰水溶性CdSe/ZnS量子点
二氧化硅修饰水溶性Cdse/ZnS荧光量子点
聚苯乙烯修饰CdSe/ZnS荧光量子点
巯基修饰CdSe/ZnS量子点
偶氮苯修饰CdSe/ZnS核壳量子点
功能肽RGDC修饰CdSe/ZnS量子点
CdSe/ZnS(核/壳)量子点掺杂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)
低聚倍半硅氧烷(POSS)修饰CdSe/CdS/ZnS核壳量子点
运输说明:
极低温产品:极低温产品运输过程中加装干冰运输。用干冰把产品包裹起来,再用泡沫盒密封,胶带层层粘住泡沫盒,放入瑞禧生物的箱子,然后交付给合作快递,安全快速高效放心的送至客户的手中,保证产品的性质稳定如一,为您的实验保驾护航。
低温产品:低温产品运输过程中加装冰袋运输。事先用冰袋把产品包裹起来,再使用泡沫盒密封,用胶带严实密封泡沫盒,再放入瑞禧生物的箱子(保温效果最少可以持续一周),然后交付给合作快递,安全快速高效放心的送至客户的手中,保证产品的性质稳定如一,为您的实验保驾护航。
常温产品:常温产品运输过程中无需加冰或者特殊包装。产品由公司库房人员快速配货,准确快速高效的快递保证产品快速送达您的手中。
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